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多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀

更新時(shí)間:2016-04-16      點(diǎn)擊次數(shù):517

多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀

本系列導(dǎo)熱儀采用瞬態(tài)平面熱源法,本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀。Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有:(1)直接測(cè)量熱傳播,可以節(jié)約大量的時(shí)間;(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響;(3)無須特別的樣品制備,對(duì)固態(tài)材料只需相對(duì)平整的樣品表面。具有測(cè)量速度快、范圍寬以及能夠成功避免在實(shí)驗(yàn)過程中自然對(duì)流的影響等優(yōu)點(diǎn),是目前比較流行的測(cè)試方法。設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn):ISO 22007-2 2008。  
主要測(cè)量固體、巖土、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)(熱擴(kuò)散系數(shù))和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。  
多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀 型號(hào):TDRE-III 
1、整機(jī)技術(shù)指標(biāo)  
1.1 試樣尺寸:塊狀或圓柱形樣本,無須特別的樣品制備,只需相對(duì)平整的樣品表面,對(duì)粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無特殊要求。  
1.2 導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍:0.005~100 w/(m.k);  
1.3 熱擴(kuò)散系數(shù)(導(dǎo)溫系數(shù))范圍:0.1~100 m2/s  
1.4 蓄熱系數(shù)范圍:0.1~30 w/(m2.k)  
1.5 比熱容范圍: 0.1~5 kJ/(kg•℃)  
1.6 熱阻范圍:   0.5~0.000005 m2.k/w  
1.7 測(cè)量溫度范圍:室溫~120℃;  
1.8 溫度測(cè)量精度:≤0.001℃;  
1.9 測(cè)量相對(duì)誤差:≤3%;  
1.10 重復(fù)性誤差:≤ 3%;  
1.11測(cè)量時(shí)間:1~120 秒  
1.12試樣環(huán)境溫度范圍:標(biāo)準(zhǔn)配置:室溫。  
(可根據(jù)客戶要求選配各種溫度段或真空狀態(tài)下的測(cè)試狀態(tài))  
1.13 采用全自動(dòng)測(cè)試軟件,快速準(zhǔn)確對(duì)樣品進(jìn)行試驗(yàn)過程參數(shù)分析和報(bào)告輸出。  
1.14電源:AC 220V±10%;50/60 Hz,整機(jī)功率:﹤500w  
   
2.  探頭技術(shù)指標(biāo)  
2.1 加熱材料:金屬鎳  
2.2 使用溫度:-50~150℃  
2.3 Z大功率:20w  
2.4 Z大電壓:20V  
2.5 Z大電流:1A  
2.6 電阻:10Ω左右,依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)  
2.7 鎳絲規(guī)格:厚度0.01mm,熱絲寬度:0.35±0.03mm;熱絲間距:0.35±0.03mm   
2.8 保護(hù)層材料:聚酰亞胺薄膜(Kapton);單層厚度:0.06mm  
2.9 探頭直徑:15mm  
2.10 探頭總厚度(包括粘結(jié)層厚度)0.07±0.02mm。

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